Datasheet

NXP Semiconductors
PBSS4112PAN
120 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4112PAN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet 29 November 2012 10 / 17
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA; T
amb
= 25 °C - - 1 V
I
C
= 1 A; I
B
= 50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.1 V
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 1.1 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
= 2 V; I
C
= 0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ ≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
- - 0.9 V
t
d
delay time - 20 - ns
t
r
rise time - 440 - ns
t
on
turn-on time - 460 - ns
t
s
storage time - 615 - ns
t
f
fall time - 390 - ns
t
off
turn-off time
V
CC
= 10 V; I
C
= 500 mA; I
Bon
= 25 mA;
I
Boff
= -25 mA; T
amb
= 25 °C
- 1005 - ns
f
T
transition frequency V
CE
= 10 V; I
C
= 50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
60 120 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
= 10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- 4.5 7 pF
aaa-005713
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
-1
10
4
10
3
1 10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig. 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
CE
(V)
0 542 31
aaa-005714
0.5
1.0
1.5
I
C
(A)
0.0
I
B
= 50 mA
45
40
35
30
25
20
15
10
5
T
amb
= 25 °C
Fig. 11. Collector current as a function of collector-
emitter voltage; typical values