Datasheet

PBSS4041SPN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 2 — 20 October 2010 11 of 20
NXP Semiconductors
PBSS4041SPN
60 V NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 13. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 14. TR2 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 15. TR2 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 16. TR2 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aac358
200
300
100
400
500
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0.0 −5.0−4.0−2.0 −3.0−1.0
006aac359
−4.0
−6.0
−2.0
−8.0
−10.0
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = −120
−12
−108
−24
−36
−60
−84
−48
−72
−96
006aac360
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aac361
−0.6
−1.0
−1.4
V
BEsat
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)