Datasheet

PBSS4041PZ_1 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 31 March 2010 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS4041PZ
60 V, 5.7 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac164
200
300
100
400
500
h
FE
0
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 −5.0−4.0−2.0 −3.0−1.0
006aac165
−8.0
−4.0
−12.0
−16.0
I
C
(A)
0.0
−17
−102
−85
−68
−51
−34
I
B
(mA) = −170
−136
−119
−153
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac166
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0.0
(1)
(3)
(2)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac167
−0.5
−0.9
−1.3
V
BEsat
(V)
−0.1
(1)
(3)
(2)