Datasheet

PBSS4032SPN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 2 — 14 October 2010 9 of 20
NXP Semiconductors
PBSS4032SPN
30 V NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. TR1 (NPN): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. TR1 (NPN): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 8. TR1 (NPN): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aac306
400
600
200
800
1000
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0.0 5.04.02.0 3.01.0
006aac307
4.0
8.0
12.0
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = 70
63
56
49
42
35
28
21
14
7
006aac308
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
006aac309
0.6
0.8
0.4
1.0
1.2
V
BEsat
(V)
0.2
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)