Datasheet

PBSS4032SPN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 2 — 14 October 2010 11 of 20
NXP Semiconductors
PBSS4032SPN
30 V NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 13. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 14. TR2 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 15. TR2 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 16. TR2 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aac314
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 −5.0−4.0−2.0 −3.0−1.0
006aac315
−4.0
−8.0
−12.0
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = −600
−60
−540
−420
−480
−360
−300
−240
−180
−120
006aac316
−0.6
−1.0
−1.4
V
BE
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
006aac317
−0.6
−1.0
−1.4
V
BEsat
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)