Datasheet

PBSS4032PD_1 © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 27 January 2010 7 of 14
NXP Semiconductors
PBSS4032PD
30 V, 2.7 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aab943
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 −5.0−4.0−2.0 −3.0−1.0
006aab944
−2.0
−1.0
−3.0
−4.0
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = −50
−5
−10
−40
−45
−35
−30
−25
−20
−15
006aab945
−0.8
−0.4
−1.2
−1.6
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)
006aab946
−0.8
−0.5
−1.1
−1.4
V
BEsat
(V)
−0.2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(3)
(2)