Datasheet

PBSS4021SPN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 2 — 13 October 2010 9 of 20
NXP Semiconductors
PBSS4021SPN
20 V NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. TR1 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. TR1 (NPN): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. TR1 (NPN): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 8. TR1 (NPN): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
006aac262
400
200
600
800
h
FE
0
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 5.04.02.0 3.01.0
006aac263
8.0
4.0
12.0
16.0
I
C
(A)
0.0
7
I
B
(mA) = 70
56
42
28
63
49
35
14
21
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
006aac264
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0.0
(1)
(3)
(2)
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
006aac265
0.6
1.0
1.4
V
BEsat
(V)
0.2
(1)
(3)
(2)