Datasheet

PBSS4021SPN All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 2 — 13 October 2010 11 of 20
NXP Semiconductors
PBSS4021SPN
20 V NPN/PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 13. TR2 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 14. TR2 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 15. TR2 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 16. TR2 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac270
200
400
600
h
FE
0
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 −5.0−4.0−2.0 −3.0−1.0
006aac271
−8.0
−4.0
−12.0
−16.0
I
C
(A)
0.0
−20
−120
−80
−60
−40
I
B
(mA) = −200
−160
−140
−180
−100
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac272
−0.6
−1.0
−1.4
V
BE
(V)
−0.2
(1)
(3)
(2)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac273
−0.6
−1.0
−1.4
V
BEsat
(V)
−0.2
(1)
(3)
(2)