Datasheet

PBSS4021PZ_1 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 31 March 2010 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS4021PZ
20 V, 6.6 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac072
200
400
600
h
FE
0
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 −5.0−4.0−2.0 −3.0−1.0
006aac073
−10.0
−5.0
−15.0
−20.0
I
C
(A)
0.0
−25
−150
−125
−75
−50
I
B
(mA) = −250
−200
−175
−225
−100
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac074
−0.6
−1.0
−1.4
V
BE
(V)
−0.2
(1)
(3)
(2)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aac075
−0.6
−1.0
−1.4
V
BEsat
(V)
−0.2
(1)
(3)
(2)