Datasheet

2003 Aug 12 5
Philips Semiconductors Product specification
40 V, 0.5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS3540M
handbook, halfpage
0
200
400
600
800
MLE202
h
FE
I
C
(mA)
−1 −10 −10
2
−10
−1
−10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
V
CE
= −2V.
handbook, halfpage
0
−800
−1200
−400
MLE203
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
−10
2
−10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= 150 °C.
V
CE
= −2V.
handbook, halfpage
−10
3
−10
2
−1
MLE204
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
handbook, halfpage
0
−800
−1200
−400
MLE205
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
=25°C.
(3) T
amb
= −55 °C.
I
C
/I
B
= 20.