Datasheet

PBSS3515MB All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 1 — 6 March 2012 6 of 12
NXP Semiconductors
PBSS3515MB
15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
V
CE
= -2 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
= -2 V
(1) T
amb
= -55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 4. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 7. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
0
400
600
200
mld665
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
h
FE
−10
2
-10
3
(2)
(1)
(3)
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
mld667
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
−10
3
−10
2
−10
−1
mld669
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
−10
2
−10
3
(1)
(2)
(3)
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
mld668
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(2)
(3)
(1)