Datasheet

PBSS306PZ All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 26 July 2011 6 of 15
NXP Semiconductors
PBSS306PZ
100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
=-1A; I
B
= -100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- -0.81 -0.9 V
I
C
=-4A; I
B
= -400 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- -0.93 -1.05 V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
=-2V; I
C
=-2A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- -0.78 -0.85 V
t
d
delay time V
CC
=-12.5V; I
C
=-3A; I
Bon
= -0.15 A;
I
Boff
= 0.15 A; T
amb
=25°C
-15-ns
t
r
rise time - 185 - ns
t
on
turn-on time - 200 - ns
t
s
storage time - 150 - ns
t
f
fall time - 175 - ns
t
off
turn-off time - 325 - ns
f
T
transition frequency V
CE
=-10V; I
C
= -100 mA;
f=100MHz; T
amb
=25°C
- 100 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
=-10V; I
E
=0A; i
e
=0A;
f=1MHz; T
amb
=25°C
- 5080pF
Table 7. Characteristics
…continued
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CE
= -2 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
= 25 °C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
006aaa645
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(2)
(1)
006aaa651
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
−6
−8
−4
−2
−10
−12
−14
I
C
(A)
0
−145
I
B
(mA) = −1015
−290
−870
−725
−580
−435