Datasheet

PBSS306PZ All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 26 July 2011 5 of 15
NXP Semiconductors
PBSS306PZ
100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
7. Characteristics
Ceramic PCB, Al
2
O
3
standard footprint
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
006aaa563
10
−5
1010
−2
10
−4
10
2
10
−1
t
p
(s)
10
−3
10
3
1
0.10
10
1
10
2
Z
th(j-a)
(K/W)
10
−1
0.05
0.02
0
0.01
δ = 1
0.75
0.50
0.33
0.20
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
=-80V; I
E
=0A; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
V
CB
=-80V; I
E
=0A; T
j
= 150 °C;
T
amb
=25°C
- - -50 µA
I
CES
collector-emitter cut-off
current
V
CE
=-48V; V
BE
=0V; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
=-5V; I
C
=0A; T
amb
= 25 °C - - -100 nA
h
FE
DC current gain V
CE
=-2V; I
C
= -0.5 A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
200 300 -
V
CE
=-2V; I
C
=-1A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
150 260 -
V
CE
=-2V; I
C
=-2A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
100 175 -
V
CE
=-2V; I
C
=-4A; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
25 40 -
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
=-0.5A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
--45-65mV
I
C
=-1A; I
B
= -50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- -90 -130 mV
I
C
=-4A; I
B
= -400 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- -225 -320 mV
I
C
=-4.1A; I
B
= -410 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- -230 -325 mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
=-4A; I
B
= -400 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- 5680mΩ