Datasheet

PBSS306NX_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 8 December 2009 7 of 15
NXP Semiconductors
PBSS306NX
100 V, 4.5 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aaa637
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(3)
(2)
(1)
006aaa643
V
CE
(V)
054231
6
8
4
2
10
12
14
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 500
200
150
100
50
450
350
250
400
300
006aaa638
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(3)
(2)
(1)
006aaa641
0.4
0.8
1.2
V
BEsat
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(3)
(2)
(1)