Datasheet

PBSS303PZ_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 20 November 2009 8 of 14
NXP Semiconductors
PBSS303PZ
30 V, 5.3 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 11. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 12. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aaa598
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(2)
(1)
006aaa599
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
−10
−2
−10
−1
−1
−10
V
CEsat
(V)
−10
−3
(3)
(2)
(1)
006aaa601
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
10
−1
1
10
10
2
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(3)
(2)
(1)
006aaa603
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
(3)
(2)
(1)