Datasheet

PBSS303PD_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 20 November 2009 9 of 16
NXP Semiconductors
PBSS303PD
60 V, 3 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 6. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 8. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aaa727
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
−19
−38
−57
V
CE
(V)
0 −2.0−1.6−0.8 −1.2−0.4
006aaa728
−2
−4
−6
I
C
(A)
0
−171
−152
−133
I
B
= −190 mA
−114
−95
−76
006aaa729
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aaa730
−0.4
−0.8
−1.2
V
BEsat
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)