Datasheet

PBSS301PZ_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 17 November 2009 7 of 14
NXP Semiconductors
PBSS301PZ
12 V, 5.7 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aaa588
400
600
200
800
1000
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(2)
(1)
006aaa594
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
−6
−8
−4
−2
−10
−12
−14
I
C
(A)
0
−45
−40
−35
−30
−25
−20
−15
−10
−5
IB (mA) = −50
006aaa589
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(2)
(1)
006aaa592
−0.4
−0.8
−1.2
V
BEsat
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(3)
(2)
(1)