Datasheet

PBSS301PD_3 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 17 December 2007 7 of 14
NXP Semiconductors
PBSS301PD
20 V, 4 A PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa336
400
600
200
800
1000
h
FE
0
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 −2.0−1.6−0.8 −1.2−0.4
006aaa342
−4
−2
−6
−10
−8
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −200
−180
−160
−140
−120
−80
−100
−60
−40
−20
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa337
−0.8
−0.4
−1.2
−1.6
V
BE
(V)
0
(1)
(3)
(2)
I
C
(mA)
−10
−1
−10
5
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
006aaa340
−0.7
−0.5
−0.3
−0.9
−1.1
−1.4
V
BEsat
(V)
−0.1
(1)
(2)
(3)