Datasheet

PBSS2540MB All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 1 — 4 April 2012 6 of 12
NXP Semiconductors
PBSS2540MB
40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
T
amb
= 25 °C
Fig 4. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 5. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= -55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= -55 °C
Fig 6. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 7. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
0
400
800
1200
200
600
1000
mhc082
10
1
1
h
FE
10
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
054231
006aac996
0.4
0.8
1.2
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = 25
22.5
20
2.5
7.5
10
12.5
15
17.5
5
200
1200
400
600
800
1000
mhc085
10
1
110
V
BE
(mV)
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
200
1200
400
600
800
1000
mhc084
10
1
110
V
BEsat
(mV)
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)