Datasheet
PBSS2540MB All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 1 — 4 April 2012 5 of 12
NXP Semiconductors
PBSS2540MB
40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
7. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
I
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
=30V; I
E
=0A; T
amb
= 25 °C - - 100 nA
V
CB
=30V; I
E
=0A; T
j
=150°C --50µA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
=5V; I
C
=0A; T
amb
= 25 °C - - 100 nA
h
FE
DC current gain V
CE
=2V; I
C
=10mA; T
amb
= 25 °C 200 - -
V
CE
=2V; I
C
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
150 - -
V
CE
=2V; I
C
= 500 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
50 - -
V
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
=10mA; I
B
= 0.5 mA; T
amb
=25°C --50mV
I
C
=100mA; I
B
= 5 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- - 100 mV
I
C
=200mA; I
B
= 10 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- - 200 mV
I
C
=500mA; I
B
= 50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- - 250 mV
R
CEsat
collector-emitter
saturation resistance
I
C
=500mA; I
B
= 50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
- 380 500 mΩ
V
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
=500mA; I
B
= 50 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
--1.2V
V
BEon
base-emitter turn-on
voltage
V
CE
=2V; I
C
= 100 mA; pulsed;
t
p
≤ 300 µs; δ≤0.02 ; T
amb
=25°C
--1.1V
f
T
transition frequency V
CE
=5V; I
C
= 100 mA; f = 100 MHz;
T
amb
=25°C
250 450 - MHz
C
c
collector capacitance V
CB
=10V; I
E
=0A; i
e
=0A;
f=1MHz; T
amb
=25°C
--6pF