Datasheet

2003 Jul 22 5
NXP Semiconductors Product data sheet
40 V, 0.5 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS2540M
handbook, halfpage
0
400
800
1200
200
600
1000
MHC082
10
−1
1
h
FE
10
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
V
CE
= 2 V.
handbook, halfpage
200
1200
400
600
800
1000
MHC085
10
−1
110
V
BE
(mV)
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
V
CE
= 2 V.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
MHC086
10
−1
110
V
CEsat
(mV)
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
handbook, halfpage
200
1200
400
600
800
1000
MHC084
10
−1
110
V
BEsat
(mV)
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
I
C
/I
B
= 20.