Datasheet

2004 Dec 23 5
NXP Semiconductors Product data sheet
15 V low V
CE(sat)
NPN double transistor
PBSS2515VS
handbook, halfpage
0
400
600
200
MLD643
10
−1
110
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
200
1200
400
600
800
1000
MLD645
110
−1
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
10 10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.3 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
1
MLD647
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
200
1200
400
600
800
1000
MLD646
110
−1
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
10 10
2
10
3
(2)
(3)
(1)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.