Datasheet

PBSM5240PF All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 2 — 20 April 2011 10 of 20
NXP Semiconductors
PBSM5240PF
40 V, 2 A PNP BISS/Trench MOSFET module
V
CEsat
= −5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 10. PNP transistor: DC current gain as a function
of collector current; typical values
Fig 11. PNP transistor: Collector current as a function
of collector-emitter voltage; typical values
V
CEsat
= −5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 12. PNP transistor: Base-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 13. PNP transistor: Base-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
006aaa465
400
800
1200
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(2)
(3)
(1)
006aaa469
−0.8
−1.6
−2.4
I
C
(A)
0
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
I
B
(mA) = −24
−2.4
−4.8
−7.2
−12
−14.4
−9.6
−16.8
−19.2
−21.6
006aac615
–0.8
–0.4
–1.2
–1.6
V
BE
(V)
–0.0
I
C
(mA)
–10
–1
–10
4
–10
3
–1 –10
2
–10
(2)
(1)
(3)
006aaa468
−0.5
−0.9
−1.3
V
BEsat
(V)
−0.1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(2)
(3)
(1)