Datasheet

PBRP123ET_1 © NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 16 January 2008 8 of 12
NXP Semiconductors
PBRP123ET
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
8. Package outline
V
CE
= −0.3 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 9. On-state input voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 10. Off-state input voltage as a function of collector
current; typical values
006aab089
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−1
−10
V
I(on)
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
006aab090
I
C
(mA)
−10
−1
−10
2
−10−1
−1
−10
V
I(off)
(V)
−10
−1
(1)
(2)
(3)
Fig 11. Package outline SOT23 (TO-236AB)
04-11-04Dimensions in mm
0.45
0.15
1.9
1.1
0.9
3.0
2.8
2.5
2.1
1.4
1.2
0.48
0.38
0.15
0.09
12
3