Datasheet

PBRP123ET_1 © NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 16 January 2008 7 of 12
NXP Semiconductors
PBRP123ET
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
V
CE
= −5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 5. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=50
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
= 100
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aab085
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
1
10
10
2
10
3
h
FE
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aab086
I
C
(mA)
−1 −10
3
−10
2
−10
−10
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10 −10
3
−10
2
006aab087
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
I
C
(mA)
−10 −10
3
−10
2
006aab088
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)