Datasheet

PBRN123Y_SER_1 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 27 February 2007 9 of 17
NXP Semiconductors
PBRN123Y series
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 7. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=50
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
= 100
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aab022
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
10
10
2
10
3
10
4
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
006aab023
I
C
(mA)
110
3
10
2
10
10
−2
10
−1
V
CEsat
(V)
10
−3
(1)
(3)
(2)
006aab024
I
C
(mA)
110
3
10
2
10
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(3)
(2)
006aab025
I
C
(mA)
110
3
10
2
10
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(2)
(3)