Datasheet

PBRN123E_SER_1 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 27 February 2007 9 of 17
NXP Semiconductors
PBRN123E series
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 7. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=50
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
= 100
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aab016
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
10
2
10
3
h
FE
0
(3)
(2)
(1)
006aab017
I
C
(mA)
110
3
10
2
10
10
−1
V
CEsat
(V)
10
−2
(3)
(2)
(1)
I
C
(mA)
10 10
3
10
2
006aab018
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(3)
(2)
(1)
I
C
(mA)
10 10
3
10
2
006aab019
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(3)
(2)
(1)