Datasheet

PBRN113E_SER_1 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 1 March 2007 10 of 17
NXP Semiconductors
PBRN113E series
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ
V
CE
= 0.3 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 11. On-state input voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 12. Off-state input voltage as a function of collector
current; typical values
006aab008
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
V
I(on)
(V)
10
−1
(1)
(3)
(2)
006aab009
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
1
10
V
I(off)
(V)
10
−1
(1)
(3)
(2)