Datasheet

PBLS4005Y_PBLS4005V_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 16 February 2009 7 of 11
NXP Semiconductors
PBLS4005Y; PBLS4005V
40 V PNP BISS loadswitch
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 9. TR2 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 10. TR2 (NPN): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
V
CE
= 0.3 V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −40 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 11. TR2 (NPN): On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 12. TR2 (NPN): Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
006aaa042
10
2
10
10
3
h
FE
1
(1)
(2)
(3)
006aaa043
I
C
(mA)
110
2
10
10
−1
V
CEsat
(V)
10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa044
I
C
(mA)
10
−1
10
2
101
1
10
V
I(on)
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa045
I
C
(mA)
10
−2
10110
−1
1
10
V
I(off)
(V)
10
−1
(1)
(2)
(3)