Datasheet

PBLS4005Y_PBLS4005V_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 16 February 2009 6 of 11
NXP Semiconductors
PBLS4005Y; PBLS4005V
40 V PNP BISS loadswitch
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 5. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 6. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 7. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
Fig 8. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation
resistance as a function of collector current;
typical values
006aaa390
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa391
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa393
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aaa395
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(1)
(2)
(3)