Datasheet

PBLS4005Y_PBLS4005V_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 16 February 2009 5 of 11
NXP Semiconductors
PBLS4005Y; PBLS4005V
40 V PNP BISS loadswitch
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 1. TR1 (PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. TR1 (PNP): Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −2V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 3. TR1 (PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 4. TR1 (PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
006aaa388
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
006aaa394
−0.4
−0.6
−0.2
−0.8
−1
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = −30
−3
−6
−9
−12
−15
−27
−24
−21
−18
006aaa389
−0.5
−0.7
−0.3
−0.9
−1.1
V
BE
(V)
− 0.1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aaa392
−0.5
−0.7
−0.3
−0.9
−1.1
V
BEsat
(V)
−0.1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)