Datasheet

PBLS1503Y_PBLS1503V_3 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 03 — 24 August 2009 5 of 14
NXP Semiconductors
PBLS1503Y; PBLS1503V
15 V PNP BISS loadswitch
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 1. TR1(PNP): DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. TR1(PNP): Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
V
CE
= −2 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 3. TR1(PNP): Base-emitter voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 4. TR1(PNP): Base-emitter saturation voltage as
a function of collector current; typical values
001aaa181
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
200
400
600
h
FE
0
(1)
(2)
(3)
001aaa185
−10
2
−10
−10
3
V
CEsat
(mV)
−1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
001aaa183
−500
−700
−300
−900
−1100
V
BE
(mV)
−100
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(3)
(2)
001aaa184
−600
−800
−400
−1000
−1200
V
BEsat
(mV)
−200
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)