Datasheet

PBHV9115T_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 9 January 2009 6 of 12
NXP Semiconductors
PBHV9115T
150 V, 1 A PNP high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −10 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −10 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aab166
200
100
300
400
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aab167
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
−0.8
−1.2
−0.4
−1.6
−2.0
I
C
(A)
0
−360
I
B
(mA) = −400
−80
−280
−200
−120
−320
−240
−160
−40
006aab168
−0.4
−0.8
−1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)
006aab169
−0.5
−0.9
−1.3
V
BEsat
(V)
−0.1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
4
−10
3
−1 −10
2
−10
(1)
(2)
(3)