Datasheet

PBHV9050T_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 16 September 2009 7 of 12
NXP Semiconductors
PBHV9050T
500 V, 150 mA PNP high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
=20
(2) I
C
/I
B
=10
(3) I
C
/I
B
=5
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
=20
(2) I
C
/I
B
=10
(3) I
C
/I
B
=5
Fig 9. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aab696
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(3)
(2)
(1)
006aab697
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(3)
(2)
(1)
006aab698
10
1
10
3
10
2
10
4
R
CEsat
(Ω)
10
−1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aab699
10
1
10
3
10
2
10
4
R
CEsat
(Ω)
10
−1
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(3)
(2)
(1)