Datasheet

PBHV9050T_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 16 September 2009 6 of 12
NXP Semiconductors
PBHV9050T
500 V, 150 mA PNP high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
= −10 V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= −10 V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aab692
120
60
180
240
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(3)
(2)
(1)
006aab693
V
CE
(V)
0 −5−4−2 −3−1
−0.2
−0.3
−0.1
−0.4
−0.5
I
C
(A)
0.0
I
B
(mA) = −200
−60
−20
−80
−40
−180
−160
−140
−120
−100
006aab694
−0.50
−0.25
−0.75
−1.00
V
BE
(V)
0.0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(3)
(2)
(1)
006aab695
−0.6
−0.3
−0.9
−1.2
V
BEsat
(V)
0.0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(3)
(2)
(1)