Datasheet

PBHV8540T_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 14 January 2009 7 of 12
NXP Semiconductors
PBHV8540T
500 V, 0.5 A NPN high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
=20
(2) I
C
/I
B
=10
(3) I
C
/I
B
=5
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
=20
(2) I
C
/I
B
=10
(3) I
C
/I
B
=5
Fig 9. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aab178
1
10
−1
10
V
CEsat
(V)
10
−2
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aab179
1
10
−1
10
V
CEsat
(V)
10
−2
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aab180
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(1)
(2)
(3)
006aab181
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(2) (3)
(1)