Datasheet

PBHV8540T_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 14 January 2009 6 of 12
NXP Semiconductors
PBHV8540T
500 V, 0.5 A NPN high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=10V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=10V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aab174
200
100
300
400
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)
006aab175
V
CE
(V)
054231
0.4
0.6
0.2
0.8
1.0
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 175
35
70
140
105
006aab176
0.8
0.4
1.2
1.6
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)
006aab177
0.5
0.9
1.3
V
BEsat
(V)
0.1
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)