Datasheet

PBHV8140Z_1 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 11 December 2009 7 of 12
NXP Semiconductors
PBHV8140Z
500 V, 1 A NPN high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
=20
(2) I
C
/I
B
=10
(3) I
C
/I
B
=5
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
(1) I
C
/I
B
=20
(2) I
C
/I
B
=10
(3) I
C
/I
B
=5
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
Fig 11. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
006aab907
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(2)
(1)
(3)
006aab908
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
10
−1
1
V
CEsat
(V)
10
−2
(2)
(1)
(3)
006aab909
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
1
10
10
2
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(2)
(1)
(3)
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
006aab910
10
1
10
3
10
2
10
4
R
CEsat
(Ω)
10
−1
(2)
(1)
(3)