Datasheet

PBHV8118T All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 7 May 2010 6 of 13
NXP Semiconductors
PBHV8118T
180 V, 1 A NPN high-voltage low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=10V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
T
amb
=25°C
Fig 3. DC current gain as a function of collector
current; typical values
Fig 4. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
=10V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=5
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
Fig 5. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
Fig 6. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
006aac366
200
300
100
400
500
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(3)
(2)
V
CE
(V)
0.0 5.04.02.0 3.01.0
006aac367
1.0
0.5
1.5
2.0
I
C
(A)
0.0
256
224
192
160
128
I
B
(mA) = 320
96
64
32
288
006aac368
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(2)
(1)
(3)
006aac369
0.5
0.9
1.3
V
BEsat
(V)
0.1
I
C
(mA)
10
−1
10
4
10
3
110
2
10
(2)
(1)
(3)