Datasheet

2003 Mar 18 4
NXP Semiconductors Product data sheet
PNP switching transistor MMBT3906
handbook, halfpage
0
400
600
200
MHC459
−10
−1
−1 −10
I
C
(mA)
h
FE
−10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.2 DC current gain; typical values.
V
CE
= −1 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0 −10
−250
0
−50
−100
−150
−200
−2
V
CE
(V)
I
C
(mA)
−4 −6 −8
MHC460
(1)
(2)(3)
(9)
(7)
(10)
(8)
(6)
(5)
(4)
Fig.3 Collector current as a function of
collector-emitter voltage.
(1) I
B
= −1.5 mA.
(2) I
B
= −1.35 mA.
(3) I
B
= −1.2 mA.
(4) I
B
= −1.05 mA.
(5) I
B
= −0.9 mA.
(6) I
B
= −0.75 mA.
(7) I
B
= −0.6 mA.
(8) I
B
= −0.45 mA.
(9) I
B
= −0.3 mA.
(10) I
B
= −0.15 mA.
T
amb
= 25 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MHC461
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(3)
(2)
(1)
Fig.4 Base-emitter voltage as a function of
collector current.
V
CE
= −1 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
−200
−1200
−400
−600
−800
−1000
MHC462
−1−10
−1
I
C
(mA)
V
BEsat
(mV)
−10 −10
2
−10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.5 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.