Datasheet

1999 Apr 21 4
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN medium frequency transistor BFS20W
Fig.2 DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 10 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
han
dbook, halfpage
10
3
10
10
2
1
MGR830
10
−1
11010
2
I
C
(mA)
h
FE
(2)
(3)
(1)
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
MGR831
10
−1
110
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
10
3
10
2
10
10
2
(2)
(3)
Fig.4 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 10 V.
(1) T
amb
= −100 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
1000
200
MGR832
400
600
800
V
BE
(mV)
10
−1
11010
2
I
C
(mA)
(2)
(3)
(1)
Fig.5 Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
T
amb
= 25 °C.
(1) I
B
= 280 µA.
(2) I
B
= 230 µA.
(3) I
B
= 180 µA.
(4) I
B
= 130 µA.
(5) I
B
= 80 µA.
(6) I
B
= 30 µA.
h
andbook, halfpage
010
V
CE
(V)
I
C
(mA)
(5)
(6)
(1)
25
0
5
MGR833
10
15
20
2468
(2)
(3)
(4)