Datasheet

BCV61_4 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 04 — 18 December 2009 6 of 13
NXP Semiconductors
BCV61
NPN general-purpose double transistors
V
CE
=5V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
=5V
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 5. BCV61B: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 6. BCV61B: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 150 °C
Fig 7. BCV61B: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
Fig 8. BCV61B: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
mgt727
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
600
500
400
300
200
100
h
FE
(1)
(2)
(3)
0
1200
1000
800
600
400
200
mgt728
10
−2
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
10
4
10
3
10
2
10
mgt729
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt730
10
−1
11010
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)