Datasheet

BCM857BV_BS_DS_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 28 August 2009 6 of 15
NXP Semiconductors
BCM857BV/BS/DS
PNP/PNP matched double transistors
T
amb
=25°CV
CE
= −5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 1. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
Fig 2. DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 3. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 4. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa540
V
CE
(V)
0 −10−8−4 −6−2
−0.08
−0.12
−0.04
−0.16
−0.20
I
C
(A)
0
−0.25
I
B
(mA) = −2.5
−0.5
−0.75
−1.0
−1.25
−1.5
−1.75
−2.0
−2.25
006aaa541
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−2
−10
3
−10
2
−10
−1
−10−1
(1)
(2)
(3)
006aaa542
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−0.5
−0.9
−1.3
−0.3
−0.7
−1.1
V
BEsat
(V)
−0.1
(1)
(2)
(3)
006aaa543
−1
−10
−1
−10
V
CEsat
(V)
−10
−2
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)