Datasheet

BCM847BV_BS_DS_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 28 August 2009 6 of 15
NXP Semiconductors
BCM847BV/BS/DS
NPN/NPN matched double transistors
T
amb
=25°CV
CE
=5V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 1. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
Fig 2. DC current gain as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= 100 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 3. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 4. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa532
V
CE
(V)
0108462
0.08
0.12
0.04
0.16
0.20
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 4.50
2.70
3.15
4.05
3.60
0.45
0.90
1.35
1.80
2.25
006aaa533
200
400
600
h
FE
0
I
C
(mA)
10
−2
10
3
10
2
10
−1
101
(3)
(1)
(2)
006aaa534
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
0.5
0.9
1.3
0.3
0.7
1.1
V
BEsat
(V)
0.1
(1)
(2)
(3)
006aaa535
1
10
−1
10
V
CEsat
(V)
10
−2
I
C
(mA)
10
−1
10
3
10
2
110
(1)
(2)
(3)