Datasheet

2001 Sep 10 5
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC847BV
Graphical information BC847BV
handbook, halfpage
0
400
600
200
300
500
100
MHB971
10
−1
110
I
C
(mA)
h
FE
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.3 DC current gain; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
1200
1000
400
800
200
600
MHB972
10
−2
10
−1
110
V
BE
(mV)
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.4 Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.
handbook, halfpage
10
4
10
3
10
2
10
MHB973
10
−1
110
V
CEsat
(mV)
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= −55 °C.
handbook, halfpage
0
1200
1000
400
800
200
600
MHB974
10
−1
110
V
BEsat
(mV)
I
C
(mA)
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.6 Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
20.
(1) T
amb
= −55 °C.
(2) T
amb
= 25 °C.
(3) T
amb
= 150 °C.