Datasheet

TIP120 ... TIP122
TIP120 ... TIP122
NPN
Si-Epitaxial Planar Darlington Power Transistors
Si-Epitaxial Planar Darlington-Leistungs-Transistoren
NPN
Version 2006-10-17
Dimensions - Maße [mm]
1 = B 2/4 = C 3 = E
Max. power dissipation with cooling
Max. Verlustleistung mit Kühlung
65 W
Collector current
Kollektorstrom
5 A
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-220AB
Weight approx.
Gewicht ca.
2.2 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
TIP120 TIP121 TIP122
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spg. B open V
CEO
60 V 80 V 100 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spg. E open V
CBO
60 V 80 V 100 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
without cooling – ohne Kühlung
with cooling – mit Kühlung
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
P
tot
P
tot
2 W
1
)
65 W
Collector current – Kollektorstrom (dc) I
C
5 A
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I
CM
8 A
Base current – Basisstrom (dc) I
B
120 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
I
C
= 0.5 A, V
CE
= 3 V
I
C
= 3 A, V
CE
= 3 V
h
FE
h
FE
1000
1000
–
–
–
–
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
I
C
= 3 A, V
CE
= 4 V, f = 1 MHz h
fe
4
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/
1
3.8
2.54
0.9
1.5
10
±0.2
3.4
3
13.2 1
5
.
7
4
321
Typ e
Typ