Data Sheet

©
Nexperia B.V. 2017. All rights reserved
Nexperia
PMBT2907
40V, 600 mA, PNP switching transistor
PMBT2907 All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Product data sheet 6 March 2015 5 / 14
10. Characteristics
Table 7. Characteristics
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
V
CB
= -50 V; I
E
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - -20 nAI
CBO
collector-base cut-off
current
V
CB
= -50 V; I
E
= 0 A; T
j
= 125 °C - - -20 µA
I
EBO
emitter-base cut-off
current
V
EB
= -5 V; I
C
= 0 A; T
amb
= 25 °C - - -50 nA
V
CE
= -10 V; I
C
= -0.1 mA; T
amb
= 25 °C 35 - -
V
CE
= -10 V; I
C
= -1 mA; T
amb
= 25 °C 50 - -
V
CE
= -10 V; I
C
= -10 mA; T
amb
= 25 °C 75 - -
V
CE
= -10 V; I
C
= -150 mA;
T
amb
= 25 °C
100 - 300
h
FE
DC current gain
V
CE
= -10 V; I
C
= -500 mA;
T
amb
= 25 °C
30 - -
I
C
= -150 mA; I
B
= -15 mA;
T
amb
= 25 °C
- - -400 mVV
CEsat
collector-emitter
saturation voltage
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA;
T
amb
= 25 °C
- - -1.6 V
I
C
= -150 mA; I
B
= -15 mA;
T
amb
= 25 °C
- - -1.3 VV
BEsat
base-emitter saturation
voltage
I
C
= -500 mA; I
B
= -50 mA;
T
amb
= 25 °C
- - -2.6 V
t
d
delay time - - 12 ns
t
r
rise time - - 30 ns
t
on
turn-on time - - 40 ns
t
s
storage time - - 300 ns
t
f
fall time - - 65 ns
t
off
turn-off time
I
C
= -150 mA; I
Bon
= -15 mA;
I
Boff
= 15 mA; T
amb
= 25 °C
- - 365 ns
C
C
collector capacitance V
CB
= -10 V; I
E
= 0 A; i
e
= 0 A;
f = 1 MHz; T
amb
= 25 °C
- - 8 pF
C
E
emitter capacitance V
EB
= -2 V; I
C
= 0 A; i
c
= 0 A; f = 1 MHz;
T
amb
= 25 °C
- - 30 pF
f
T
transition frequency V
CE
= -20 V; I
C
= -50 mA; f = 100 MHz;
T
amb
= 25 °C
200 - - MHz