User`s manual

Fr-32
Carte mère MS-7673
DRAM Ratio
Ce réglage contrôle le ratio de fréquence mémoire pour permettra à la mémoire de
fonctionner avec des combinaisons de diérentes fréquences.
Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture uniquement.
Extreme Memory Prole(X.M.P)
Cet article sert à activer/ désactiver le Intel Extreme Memory Prole (XMP). Pour plus
d’information veuillez vous référer au site Internet ociel.
DRAM Timing Mode
Le choix de décision si le timing DRAM est contrôlé par le SPD (Serial Presence Detect)
EEPROM sur le module DRAM. La mise en [Auto] active le DRAM timings et le sous-
menu suivant “Advance DRAM Conguration” d'être déterminé par le BIOS basé sur la
conguration du SPD. La mise en [Manual] vous permet de congurer le timings DRAM
et le sous-menu suivant “Advance DRAM Conguration” relatifs manuellement.
Advanced DRAM Conguration
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
Command Rate
Ce réglage contrôle le taux d’ordre DRAM.
tCL
Il contrôle la latence CAS, qui détermine le retard du timing (en cycle d’horloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l’avoir reçu.
tRCD
Quand le DRAM est rafraîchi, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparé-
ment. Cet article vous permet de déterminer le timing de la transition de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Moins fonctionne l’horloge, plus
vite est la performance de DRAM.
tRP
Cet article contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) soit
autorisé à pré-charger. S’il n’y a pas assez de temps pour que le RAS accumule sa
charge avant le rafraîchissement de la DRAM, le rafraîchissement peut être incom-
plet et le DRAM peut échouer à retirer les données. Cet article s’applique seulement
quand le DRAM synchrone est installé dans le système.
tRAS
L’article détermine le temps que le RAS prend pour lire ou écrire une cellule de
mémoire.
tRFC
Ce réglage détermine le temps que RFC prend pour lire ou écrire une cellule de
mémoire.
tWR
L’intervalle de temps minimum entre la n d’apparition d’écriture de données et le
début de l’ordre de précharge. Permet aux amplicateurs sensitifs de restaurer les
données aux cellules.
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