Datasheet

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Advance DRAM Configuration -> TRCD
当DRAM Timing设置为[Manual]时, 此为可调整项. 当刷新DRAM时,行和列独立地取址.此项允许
您决定从RAS(row address strobe)到CAS(column address strobe)的传输周期. 时钟周期越短,
DRAM性能越高.
Advance DRAM Configuration -> TRP
当 DRAM Timing 设为 [Manual], 此为可调整项,用来控制Row Address Strobe (RAS)预充 电过
程的时钟周期数.如果在DRAM刷新前没有足够的时间给RAS积累电量,刷新过程可能无法完 成而
且DRAM将不能保持数据. 此项仅在系统中安装了同步DRAM才有效.
Advance DRAM Configuration -> TRAS
当 DRAM Timing设为 [Manual], 此为可调整项. 此项控制CAS延迟.决定了SDRAM接受并开始
读取指令后的延迟时间.
Advance DRAM Configuration -> TRTP
当 DRAM Timing 设为 [Manual], 此为控制读取和预命令之间的时间间隔.
Advance DRAM Configuration -> TRC
当 DRAM Timing 设为 [Manual],此为可调整项, 此行循环时间决定了内存行
开始完成一个周期所需要的最小循环时钟数.
Advance DRAM Configuration -> TWR
当 DRAM Timing 设为 [Manual],此为可调整项,
最后一次写操作和下一次读操作之间的最小时间
间隔, 允许感觉线路恢复核心数据.
Advance DRAM Configuration -> TRRD
当 DRAM Timing 设为 [Manual], 此为可调整项,在不同的 banks 中指定
active-to-active 延迟.
Advance DRAM Configuration -> TWTR
当 Memory Timings 设为 [Manual],此为可调整项,最后一次有效写操作和下一次读操作之间的最
小时间间隔. 允许 I / O 在读命令开始前超速感觉线路.
Advance DRAM Configuration -> 1T/2T Memory Timing
当 DRAM Timing 设为 [Manual], 此为可调整项,此项控制 SDRAM command rate. 设为[1T]
SDRAM 信号控制运行在 1T (T=clock cycles) rate. 设为 [2T] SDRAM 信号控制运行在 2T rate.
Advance DRAM Configuration -> SoftWare Memory Hole
当 DRAM Timing 设为 [Manual], 此为可调整项,此项允许您打开或关闭 SoftWare Memory Hole.
FSB/DRAM Ratio（FSB/内存倍频）
此项允许您手动调整 FSB/内存倍频。
Adjusted DRAM Frequency （调整后的 DDR 内存频率,单位 MHZ）
显示调整后的 DDR 内存频率，只读。
Adjust PCI-E Frequency (MHz)
此项允许您设置 PCI-E 频率(单位 MHZ)
Auto Disable DIMM/PCI Frequency (自动关闭 DIMM/PCI 频率)
该项用于自动侦测 DIMM/PCI 插槽.当设置为[Enabled]时,为了将电磁干扰(EMI)减到最小,系统会将
空的 DIMM/PCI 插槽的时钟移除(关闭).
DRAM Voltage (V)
此项允许您调整内存频率.