Datasheet

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Advance DRAM Configuration -> CAS Latency (CL)
記憶體時脈模式設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項設定 DRAM 在接收到一個指令後，
開始讀取前的延遲時間。
Advance DRAM Configuration -> TRCD
記憶體時脈模式設為手動[Manual]，可調整本欄位。在 DRAM 重置時，列和欄位址是分開處
理的。本項設定列位址(RAS)到行位址 (CAS) 和訊號之間的延遲時間。時脈數越少，記憶體
的效能越好。
Advance DRAM Configuration -> TRP
記憶體時脈模式設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項控制列位址(RAS)預充電的時脈。若
無足夠時間，讓列位址在記憶體更新之前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資
料。本項僅適用於系統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
Advance DRAM Configuration -> TRAS
記憶體時脈模式設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項指定 RAS 由讀取到寫入記憶體所需
時間。
Advance DRAM Configuration -> TRTP
記憶體時脈模式設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項決定讀取到預充電間的間隔時間。
Advance DRAM Configuration -> TRC
記憶體時脈模式設為手動[Manual]，可調整本欄位。本項決定記憶體由列活化到預充電整個所
需的最小週期。
Advance DRAM Configuration -> TWR
記憶體時脈設為[Manual]，可調整本欄位。本項指定在整個寫入資料結束到預充電指令開始間
的延遲時間(以時脈計)。本延遲時間是為確保預充電前，在寫入緩衝區的資料能確實寫入記憶
體內。
Advance DRAM Configuration -> TRRD
記憶體時脈設為[Manual]，可調整本欄位。本項設定不同記憶體間 active-to-active 的延遲時
間。
Advance DRAM Configuration -> TWTR
記憶體時脈設為[Manual]，可調整本欄位。本項設定資料寫入到讀取指令延遲時間。本項設定
在最後一次有效寫入到下次讀取指令到相同 DDR 裝置內部記憶體間產生的最小時脈數。
Advance DRAM Configuration > 1T/2T Memory Timing（1T/ 2T 時脈）
記憶體時脈設為[Manual]，可調整本欄位。本項設定 SDRAM 指令速率。設定[1T]，則 SDRAM
信號控制器會以一週期速率執行(T=時脈週期)，設定[2T]，則以二週期執行。
Advance DRAM Configuration > SoftWare Memory Hole（軟體記憶體）
記憶體時脈設為
[Manual]，可調整本欄位。本項開啟或關閉軟體記憶體。
FSB/ DRAM Ratio（FSB/記憶體Ratio）
本項調整FSB/ DRAM Ratio。
Adjusted DRAM Frequency（調整後記憶體頻率）
本項顯示調整後記憶體頻率。唯讀。